IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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Infineon Technologies

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単価 : ¥144.02744

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 20 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±16V
シリーズ OptiMOS™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1520 pF @ 15 V
梱包形態テープ＆リール（TR）	電力散逸（最大） 42W（Tc）
部品状況 DigiKeyでは取扱い終了	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 40A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 8.3ミリオーム @ 40A、10V	ベース品番 IPD40N03
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 13µA