Name: IPD25CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD25CN10NGATMA1TR-ND
Price: 317.9 JPY
Availability: InStock

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IPD25CN10NGATMA1
DigiKey製品番号	IPD25CN10NGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD25CN10NGATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD25CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD25CN10NGATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 35A（Tc） 71W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD25CN10NGATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 39µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 31 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2070 pF @ 50 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 71W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35A（Tc）	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPD25CN10
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 25ミリオーム @ 35A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPD180N10N3GATMA1	Infineon Technologies	4,903	IPD180N10N3GATMA1CT-ND	¥301.00000	メーカー推奨品
AOD4126	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	4,043	785-1215-1-ND	¥297.00000	類似
DMNH10H028SK3Q-13	Diodes Incorporated	1,933	31-DMNH10H028SK3Q-13CT-ND	¥550.00000	類似
FDD3670	onsemi	1,477	FDD3670CT-ND	¥425.00000	類似