カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 400µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 41 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1100 pF @ 100 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 104.2W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11.4A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB65R310
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 310ミリオーム @ 4.4A、10V

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXFA12N65X2	IXYS	203	IXFA12N65X2-ND	¥1,044.00000	類似
R6011ENJTL	Rohm Semiconductor	0	R6011ENJTLCT-ND	¥841.00000	類似
SIHB12N60ET1-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB12N60ET1-GE3-ND	¥158.63875	類似
STB13NM60N	STMicroelectronics	592	497-STB13NM60NCT-ND	¥1,055.00000	類似
STB18N60DM2	STMicroelectronics	667	497-16339-1-ND	¥598.00000	類似

IPB65R310CFDATMA1