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パラメータ等価

SIHB12N60ET5-GE3
Vishay Siliconix
在庫あり: 0
単価 : ¥153.32500
データシート

類似

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在庫あり: 0
単価 : ¥347.00000
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単価 : ¥286.73300
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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB12N60ET1-GE3

DigiKey製品番号
SIHB12N60ET1-GE3-ND
メーカー
Vishay Siliconix
メーカー製品番号
SIHB12N60ET1-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
メーカーの標準リードタイム
20 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 12A（Tc） 147W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK）
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Vishay Siliconix
シリーズ
E
梱包形態
バルク
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
12A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
380ミリオーム @ 6A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
937 pF @ 100 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
147W（Tc）
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース
TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番
SIHB12
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バルク
数量 単価 請求価格
800¥153.32500¥122,660
メーカーの標準パッケージ
単価（消費税抜き）:¥153.32500
単価（消費税込み）:¥168.65750