Name: IPB60R120P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R120P7ATMA1TR-ND
Price: 756.8 JPY
Availability: InStock

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IPB60R120P7ATMA1
DigiKey製品番号	IPB60R120P7ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB60R120P7ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB60R120P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB60R120P7ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	22 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 26A（Tc） 95W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB60R120P7ATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 410µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 36 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ P7	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1544 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 95W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 26A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB60R120
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 120ミリオーム @ 8.2A、10V