Name: IPB60R099CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099CPATMA1TR-ND
Price: 1438.8 JPY
Availability: InStock

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IPB60R099CPATMA1
DigiKey製品番号	IPB60R099CPATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB60R099CPATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB60R099CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB60R099CPATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 31A（Tc） 255W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB60R099CPATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 1.2mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 80 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ CP	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2800 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 255W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 31A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB60R099
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 99ミリオーム @ 18A、10V

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関連リソース

代替品リスト（7）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	¥1,213.00000	直接
STB26NM60N	STMicroelectronics	1,786	497-10985-1-ND	¥1,393.00000	類似
STB32N65M5	STMicroelectronics	770	497-10564-1-ND	¥1,964.00000	類似
STB33N60M2	STMicroelectronics	1,060	497-14973-1-ND	¥851.00000	類似
STB40N60M2	STMicroelectronics	741	497-14963-1-ND	¥1,047.00000	類似