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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SIHB33N60E-GE3-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SIHB33N60E-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
メーカーの標準リードタイム | 24 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） 面実装 TO-263（D2PAK） |
データシート | データシート |
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カテゴリ | Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA |
メーカー | Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 150 nC @ 10 V |
梱包形態 チューブ | Vgs（最大） ±30V |
部品状況 アクティブ | Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3508 pF @ 100 V |
FETタイプ | 電力散逸（最大） 278W（Tc） |
技術 | 動作温度 -55°C～150°C（TJ） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V | 取り付けタイプ 面実装 |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK） |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V | パッケージ/ケース |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 99ミリオーム @ 16.5A、10V | ベース品番 |
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代替品リスト（11）
| 品番 | メーカー | 在庫数量 | DigiKey製品番号 | 単価 | 代替品のタイプ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 3,340 | IPB60R099C6ATMA1CT-ND | ¥1,137.00000 | 類似 |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 129 | 448-IPB60R099CPAATMA1CT-ND | ¥1,409.00000 | 類似 |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 2,519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | ¥1,308.00000 | 類似 |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2,682 | IPB60R125C6ATMA1CT-ND | ¥952.00000 | 類似 |
| IPB60R125CPATMA1 | Infineon Technologies | 1,163 | IPB60R125CPATMA1CT-ND | ¥987.00000 | 類似 |
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チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,213.00000 | ¥1,213 |
| 10 | ¥818.00000 | ¥8,180 |
| 100 | ¥594.18000 | ¥59,418 |
| 500 | ¥498.82200 | ¥249,411 |
| 1,000 | ¥468.22000 | ¥468,220 |
| 2,000 | ¥461.16500 | ¥922,330 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥1,213.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥1,334.30000 |
