Name: IPB021N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 1127.5 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 100 V 30A（Ta）、176A（Tc） 3.8W（Ta）、375W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPB021N10NM5LF2ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB021N10NM5LF2ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB021N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB021N10NM5LF2ATMA1
商品概要	IPB021N10NM5LF2ATMA1
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 30A（Ta）、176A（Tc） 3.8W（Ta）、375W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB021N10NM5LF2ATMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2ミリオーム @ 100A、15V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 280µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 206 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 17000 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、375W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 30A（Ta）、176A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V、15V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB