Name: IPB020NE7N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB020NE7N3GATMA1TR-ND
Price: 1197.9 JPY
Availability: InStock

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IPB020NE7N3GATMA1
DigiKey製品番号	IPB020NE7N3GATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPB020NE7N3GATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPB020NE7N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB020NE7N3GATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 75 V 120A（Tc） 300W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB020NE7N3GATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 273µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 206 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™ 3	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 14400 pF @ 37.5 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 300W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 75 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPB020
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2ミリオーム @ 100A、10V

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関連リソース

代替品リスト（8）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IPB019N08NF2SATMA1	Infineon Technologies	120	448-IPB019N08NF2SATMA1CT-ND	¥730.00000	メーカー推奨品
IRFS7730TRLPBF	Infineon Technologies	800	IRFS7730TRLPBFTR-ND	¥265.05750	類似
AOB270L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1472-2-ND	¥259.25375	類似
BUK962R5-60E,118	Nexperia USA Inc.	3,038	1727-7136-1-ND	¥853.00000	類似
PSMN2R8-80BS,118	Nexperia USA Inc.	7,151	1727-7107-1-ND	¥836.00000	類似