Name: IPB019N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 803 JPY
Availability: InStock

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IPB019N08NF2SATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB019N08NF2SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB019N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB019N08NF2SATMA1
商品概要	TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
メーカーの標準リードタイム	25 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 166A（Tc） 250W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB019N08NF2SATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 194µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 186 nC @ 10 V
シリーズ StrongIRFET™ 2	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 8700 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 250W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 166A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 IPB019N
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.95リオーム @ 100A、10V

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ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

単価（消費税抜き）:	¥730.00000
単価（消費税込み）:	¥803.00000

IPB019N08NF2SATMA1