Nチャンネル 1200 V 80A(Tc) 329W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-17
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Nチャンネル 1200 V 80A(Tc) 329W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKey製品番号
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
メーカー
メーカー製品番号
IMZC120R022M2HXKSA1
商品概要
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
メーカーの標準リードタイム
69 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 80A(Tc) 329W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-17
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IMZC120R022M2HXKSA1 モデル
製品属性
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カテゴリ
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
22ミリオーム @ 32A、18V
メーカー
Id印加時のVgs(th)(最大)
5.1V @ 10.1mA
シリーズ
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
71 nC @ 18 V
梱包形態
チューブ
Vgs(最大)
+23V、-7V
部品状況
アクティブ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
2330 pF @ 800 V
FETタイプ
電力散逸(最大)
329W(Tc)
技術
動作温度
-55°C~175°C(TJ)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200 V
取り付けタイプ
スルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO247-4-17
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V、18V
パッケージ/ケース
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
在庫:841個
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価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1¥3,347.00000¥3,347
30¥2,063.53333¥61,906
120¥1,782.49167¥213,899
510¥1,576.82353¥804,180
1,020¥1,501.86471¥1,531,902
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥3,347.00000
単価(消費税込み):¥3,681.70000