
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
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cms-digikey-product-number | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IMZA75R008M1HXKSA1 |
cms-description | SILICON CARBIDE MOSFET |
cms-standard-lead-time | 23 週間 |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | Nチャンネル 750 V 163A(Tc) 517W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-U02 |
データシート | データシート |
cms-eda-cad-models | IMZA75R008M1HXKSA1 モデル |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
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cms-category | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 750 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V、20V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 7.2ミリオーム @ 90.3A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.6V @ 32.4mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 178 nC @ 500 V | |
Vgs(最大) | +23V、-5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 6137 pF @ 500 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 517W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4-U02 | |
パッケージ/ケース |
cms-quantity | 単価 | cms-ext-price |
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1 | ¥5,174.00000 | ¥5,174 |
30 | ¥3,455.30000 | ¥103,659 |
単価(消費税抜き): | ¥5,174.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥5,691.40000 |