Name: IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Price: 1654.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.6V @ 3.7mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 22 nC @ 18 V
シリーズ CoolSiC™ Gen 2	Vgs（最大） +23V、-7V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 790 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 153W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-4-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、20V	ベース品番 IMZA65R050
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 46ミリオーム @ 18.2A、20V