Nチャンネル 1200 V 4.7A（Tc） 60W（Tc） スルーホール PG-TO247-4-1
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IMZ120R350M1HXKSA1

DigiKey製品番号
IMZ120R350M1HXKSA1-ND
メーカー
Infineon Technologies
メーカー製品番号
IMZ120R350M1HXKSA1
商品概要
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
メーカーの標準リードタイム
39 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1200 V 4.7A（Tc） 60W（Tc） スルーホール PG-TO247-4-1
データシート
 データシート
EDA/CADモデル
IMZ120R350M1HXKSA1 モデル
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
CoolSiC™
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
4.7A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V、18V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
350ミリオーム @ 2A、18V
Id印加時のVgs（th）（最大）
5.7V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
5.3 nC @ 18 V
Vgs（最大）
+23V、-7V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
182 pF @ 800 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
60W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ
PG-TO247-4-1
パッケージ/ケース
TO-247-4
ベース品番
IMZ120
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在庫：885個
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チューブ
数量 単価 請求価格
1¥1,155.00000¥1,155
30¥659.26667¥19,778
120¥550.22500¥66,027
510¥470.29216¥239,849
1,020¥441.13137¥449,954
2,010¥431.91642¥868,152
メーカーの標準パッケージ
注：製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価（消費税抜き）:¥1,155.00000
単価（消費税込み）:¥1,270.50000
4 品目
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1ED3124MC12HXUMA1

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1ED3491MC12MXUMA1

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¥1,057.00000