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マーケットプレイス製品
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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMW65R007M2HXKSA1 |
商品概要 | SILICON CARBIDE MOSFET |
メーカーの標準リードタイム | 23 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 171A（Tc） 625W（Tc） スルーホール PG-TO247-3-U06 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMW65R007M2HXKSA1 モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V、20V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 6.1ミリオーム @ 146.3A、20V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.6V @ 29.7mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 179 nC @ 18 V | |
Vgs（最大） | +23V、-7V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 6359 pF @ 400 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 625W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～175°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3-U06 | |
パッケージ/ケース |
在庫：1,154個
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数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4,464.00000 | ¥4,464 |
| 30 | ¥2,894.93333 | ¥86,848 |
| 120 | ¥2,863.15833 | ¥343,579 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥4,464.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥4,910.40000 |
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10 品目
日本