Name: IMT65R060M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND
Price: 1113.2 JPY
Availability: InStock

新製品

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IMT65R060M2HXUMA1
DigiKey製品番号	448-IMT65R060M2HXUMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IMT65R060M2HXUMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IMT65R060M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMT65R060M2HXUMA1
商品概要	SILICON CARBIDE MOSFET
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 41.4A（Tc） 208W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IMT65R060M2HXUMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolSiC™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	41.4A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	15V、20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	55ミリオーム @ 15.4A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.6V @ 3.1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	19 nC @ 18 V
Vgs（最大）	+23V、-7V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	669 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	208W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース	8-PowerSFN