Name: IMBG120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 4115.1 JPY
Availability: InStock

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IMBG120R017M2HXTMA1
DigiKey製品番号	448-IMBG120R017M2HXTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IMBG120R017M2HXTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IMBG120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IMBG120R017M2HXTMA1
商品概要	SICFET N-CH 1200V 107A TO263
メーカーの標準リードタイム	54 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 107A（Tc） 470W（Tc）面実装 PG-TO263-7-12
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 5.1V @ 12.7mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 89 nC @ 18 V
シリーズ CoolSiC™ G2	Vgs（最大） +23V、-10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2910 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 470W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7-12
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 107A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 15V、18V	ベース品番 IMBG120R017
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 17.1ミリオーム @ 40.4A、18V