Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 6856.3 JPY
Availability: OutOfStock

Nチャンネル 1200 V 205A（Tc） 882W（Tc）面実装 PG-TO263-7

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AIMBG120R010M1XTMA1
DigiKey製品番号	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	AIMBG120R010M1XTMA1
商品概要	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 205A（Tc） 882W（Tc）面実装 PG-TO263-7
データシート	データシート
EDA/CADモデル	AIMBG120R010M1XTMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 178 nC @ 20 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） +25V、-10V
シリーズ CoolSiC™	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5703 pF @ 800 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 882W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 205A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V、20V	パッケージ/ケース TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.3ミリオーム @ 93A、20V	ベース品番 AIMBG120
Id印加時のVgs（th）（最大） 5.1V @ 30mA