Name: IGT65R045D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND
Price: 1831.5 JPY
Availability: InStock

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IGT65R045D2ATMA1
DigiKey製品番号	448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IGT65R045D2ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IGT65R045D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IGT65R045D2ATMA1
商品概要	GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 38A（Tc） 131W（Tc）面実装 PG-HSOF-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IGT65R045D2ATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.6V @ 3.3mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 6 nC @ 3 V
シリーズ CoolGaN™ G5	Vgs（最大） -10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 430 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 131W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 38A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerSFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 54ミリオーム @ 10A