Name: IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGOT65R055D2AUMA1TR-ND
Price: 1579.6 JPY
Availability: InStock

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IGOT65R055D2AUMA1
DigiKey製品番号	448-IGOT65R055D2AUMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IGOT65R055D2AUMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IGOT65R055D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IGOT65R055D2AUMA1
商品概要	GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
メーカーの標準リードタイム	35 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 28A（Tc） 89W（Tc）面実装 PG-DSO-20-91
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IGOT65R055D2AUMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 1.6V @ 2.6mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 4.7 nC @ 3 V
シリーズ CoolGaN™ G5	Vgs（最大） -10V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 340 pF @ 400 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 89W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 GaNFET（窒化ガリウム）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-DSO-20-91
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 28A（Tc）	パッケージ/ケース 20-BFSOP（幅0.295インチ、7.50mm）
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 66ミリオーム @ 7.9A