FF6MR12W2M1B11BOMA1 は生産中止品です。現在は生産されていません。
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Infineon Technologies
在庫あり: 15
単価 : ¥208.91000
データシート
AG-EASY2BM-2
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AG-EASY2BM-2
CoolSiC Mosfet Introduction
FP25R12W1T7_B11 1200 V, 25 A PIM IGBT Module | Datasheet Preview

FF6MR12W2M1B11BOMA1

DigiKey製品番号
FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND
メーカー
メーカー製品番号
FF6MR12W2M1B11BOMA1
商品概要
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 200A(Tj) シャーシマウント AG-EASY2BM-2
データシート
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製品属性
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Infineon Technologies
シリーズ
梱包形態
トレイ
部品状況
生産中止品
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
200A(Tj)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
5.63ミリオーム @ 200A、15V
Id印加時のVgs(th)(最大)
5.55V @ 80mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
496nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
14700pF @ 800V
電力 - 最大
-
動作温度
-40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
AG-EASY2BM-2
ベース品番
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生産中止品
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