パラメータ等価

なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。



FF6MR12W2M1B11BOMA1 | |
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DigiKey製品番号 | FF6MR12W2M1B11BOMA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
商品概要 | MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 200A(Tj) シャーシマウント AG-EASY2BM-2 |
データシート | データシート |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | 生産中止品 | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 2 Nチャンネル(デュアル) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 200A(Tj) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 5.63ミリオーム @ 200A、15V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.55V @ 80mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 496nC @ 15V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 14700pF @ 800V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -40°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY2BM-2 | |
ベース品番 |



