Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 26493.5 JPY
Availability: InStock

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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
DigiKey製品番号	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
商品概要	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 200A（Tj）シャーシマウントモジュール
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET FET、MOSFETアレイ
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	HEXFET®
梱包形態	トレイ
部品状況	アクティブ
技術	シリコンカーバイド（SiC）
構成	2 Nチャンネル（デュアル）
FET機能	-
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	200A（Tj）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	5.63ミリオーム @ 200A、15V
Id印加時のVgs（th）（最大）	5.55V @ 80mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	496nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	14700pF @ 800V
電力 - 最大	-
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ	シャーシマウント
パッケージ/ケース	モジュール
サプライヤデバイスパッケージ	モジュール