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F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 448-F413MXTR12C1M2QH11BPSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
商品概要 | F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 |
メーカーの標準リードタイム | 12 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV） 60A（Tj） シャーシマウント |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | Infineon Technologies | |
シリーズ | ||
梱包形態 | トレイ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド（SiC） | |
構成 | 4個のNチャンネル（フルブリッジ） | |
FET機能 | - | |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 60A（Tj） | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 12.5ミリオーム @ 50A、18V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 5.15V @ 22mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 158nC @ 18V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 4800pF @ 800V | |
電力 - 最大 | - | |
動作温度 | -40°C～175°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | シャーシマウント | |
パッケージ/ケース | モジュール | |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
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数量
価格はすべてJPYです
トレイ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21,200.00000 | ¥21,200 |
| 30 | ¥18,471.13333 | ¥554,134 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥21,200.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥23,320.00000 |
日本