Name: BSZ011NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 332.2 JPY
Availability: InStock

BSZ011NE2LS5IATMA1
DigiKey製品番号	448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-BSZ011NE2LS5IATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-BSZ011NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSZ011NE2LS5IATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 25 V 35A（Ta）、40A（Tc） 2.1W（Ta）、69W（Tc）面実装 PG-TSDSON-8-34
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSZ011NE2LS5IATMA1 モデル

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 5
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	35A（Ta）、40A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.1ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±16V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3400 pF @ 12 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.1W（Ta）、69W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8-34
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	BSZ011

単価（消費税抜き）:	¥302.00000
単価（消費税込み）:	¥332.20000

BSZ011NE2LS5IATMA1