Name: DMT3009LFVW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT3009LFVW-7TR-ND
Price: 193.6 JPY
Availability: InStock

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DMT3009LFVW-7
DigiKey製品番号	31-DMT3009LFVW-7TR-ND - テープ＆リール（TR） 31-DMT3009LFVW-7CT-ND - カットテープ（CT） 31-DMT3009LFVW-7DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Diodes Incorporated
メーカー製品番号	DMT3009LFVW-7
商品概要	MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
メーカーの標準リードタイム	40 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 12A（Ta）、50A（Tc） 2.3W（Ta）面実装、濡れ性フランク PowerDI3333-8（SWP）タイプUX
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 12 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 823 pF @ 15 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 2.3W（Ta）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	取り付けタイプ面実装、濡れ性フランク
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 12A（Ta）、50A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8（SWP）タイプUX
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 3.8V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11ミリオーム @ 14.4A、10V	ベース品番 DMT3009

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関連リソース

代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
RQ3E120BNTB	Rohm Semiconductor	2,572	RQ3E120BNTBCT-ND	¥160.00000	類似
TPH11003NL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	970	TPH11003NLLQCT-ND	¥218.00000	類似