Name: BSS83PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS83PH6327XTSA1TR-ND
Price: 78.1 JPY
Availability: InStock

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BSS83PH6327XTSA1
DigiKey製品番号	BSS83PH6327XTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSS83PH6327XTSA1CT-ND - カットテープ（CT） BSS83PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSS83PH6327XTSA1
商品概要	MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 330mA（Ta） 360mW（Ta）面実装 PG-SOT23
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSS83PH6327XTSA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 3.57 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ SIPMOS®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 78 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 360mW（Ta）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 330mA（Ta）	サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT23
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2オーム @ 330mA、10V	ベース品番 BSS83
Id印加時のVgs（th）（最大） 2V @ 80µA