Name: BSP89H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP89H6327XTSA1TR-ND
Price: 151.8 JPY
Availability: InStock

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BSP89H6327XTSA1
DigiKey製品番号	BSP89H6327XTSA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSP89H6327XTSA1CT-ND - カットテープ（CT） BSP89H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSP89H6327XTSA1
商品概要	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 240 V 350mA（Ta） 1.8W（Ta）面実装 PG-SOT223-4
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSP89H6327XTSA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	SIPMOS®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	240 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	350mA（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	6オーム @ 350mA、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1.8V @ 108µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	140 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.8W（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-SOT223-4
パッケージ/ケース	TO-261-4、TO-261AA
ベース品番	BSP89H6327

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