Name: BSC118N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC118N10NSGATMA1TR-ND
Price: 387.2 JPY
Availability: InStock

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BSC118N10NSGATMA1
DigiKey製品番号	BSC118N10NSGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） BSC118N10NSGATMA1CT-ND - カットテープ（CT） BSC118N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSC118N10NSGATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 11A（Ta）、71A（Tc） 114W（Tc）面実装 PG-TDSON-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	BSC118N10NSGATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 70µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 56 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3700 pF @ 50 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 114W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Ta）、71A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 BSC118
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 11.8ミリオーム @ 50A、10V

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関連リソース

代替品リスト（6）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
CSD19537Q3T	Texas Instruments	731	296-42632-1-ND	¥381.00000	類似
DI100N10PQ-AQ	Diotec Semiconductor	4,580	4878-DI100N10PQ-AQCT-ND	¥557.00000	類似
FDMS86101	onsemi	14,301	FDMS86101CT-ND	¥530.00000	類似
NTB6410ANT4G	onsemi	880	NTB6410ANT4GOSCT-ND	¥728.00000	類似
STL60N10F7	STMicroelectronics	8,845	497-13879-1-ND	¥332.00000	類似