Name: BSB056N10NN3GXUMA3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSB056N10NN3GXUMA3TR-ND
Price: 207.04727 JPY
Availability: OutOfStock

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BSB056N10NN3GXUMA2

Infineon Technologies

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単価 : ¥188.22500

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BSB056N10NN3GXUMA3
DigiKey製品番号	448-BSB056N10NN3GXUMA3TR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	BSB056N10NN3GXUMA3
商品概要	TRENCH >=100V
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 9A（Ta）、83A（Tc） 2.8W（Ta）、78W（Tc）面実装 MG-WDSON-5-3
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	9A（Ta）、83A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	5.6ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 100µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	74 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5500 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.8W（Ta）、78W（Tc）
動作温度	-40°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	MG-WDSON-5-3
パッケージ/ケース	DirectFET™アイソメトリックMN