G2R1000MT33J | |
---|---|
DigiKey製品番号 | 1242-G2R1000MT33J-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | G2R1000MT33J |
商品概要 | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
メーカーの標準リードタイム | 26 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 3300 V 4A(Tc) 74W(Tc) 面実装 TO-263-7 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | G2R1000MT33J モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 3300 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 1.2オーム @ 2A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3.5V @ 2mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 21 nC @ 20 V | |
Vgs(最大) | +20V、-5V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 238 pF @ 1000 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 74W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
---|---|---|
1 | ¥3,064.00000 | ¥3,064 |
10 | ¥2,770.20000 | ¥27,702 |
25 | ¥2,660.36000 | ¥66,509 |
100 | ¥2,503.01000 | ¥250,301 |
250 | ¥2,404.64800 | ¥601,162 |
500 | ¥2,332.52400 | ¥1,166,262 |