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なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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G2R1000MT33J | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 1242-G2R1000MT33J-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | G2R1000MT33J |
商品概要 | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
メーカーの標準リードタイム | 20 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 3300 V 4A（Tc） 74W（Tc） 面実装 TO-263-7 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | G2R1000MT33J モデル |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 3300 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 1.2オーム @ 2A、20V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 3.5V @ 2mA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 21 nC @ 20 V | |
Vgs（最大） | +20V、-5V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 238 pF @ 1000 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 74W（Tc） | |
動作温度 | -55°C～175°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
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数量
価格はすべてJPYです
チューブ
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3,002.00000 | ¥3,002 |
| 10 | ¥2,714.50000 | ¥27,145 |
| 25 | ¥2,606.84000 | ¥65,171 |
| 100 | ¥2,452.66000 | ¥245,266 |
| 250 | ¥2,356.28000 | ¥589,070 |
| 500 | ¥2,285.60800 | ¥1,142,804 |
| 単価（消費税抜き）: | ¥3,002.00000 |
|---|---|
| 単価（消費税込み）: | ¥3,302.20000 |
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10 品目
日本