Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 159.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
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タシートを参照ください。

RQ3E120BNTB
DigiKey製品番号	RQ3E120BNTBTR-ND - テープ＆リール（TR） RQ3E120BNTBCT-ND - カットテープ（CT） RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3E120BNTB
商品概要	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
メーカーの標準リードタイム	21 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 30 V 12A（Ta） 2W（Ta）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	RQ3E120BNTB モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	12A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	9.3ミリオーム @ 12A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	29 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1500 pF @ 15 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2W（Ta）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSMT（3.2x3）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	RQ3E120