Name: AS2M040120P
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 4530-AS2M040120P-ND
Price: 4438.5 JPY
Availability: InStock

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AS2M040120P
DigiKey製品番号	4530-AS2M040120P-ND
メーカー	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
メーカー製品番号	AS2M040120P
商品概要	N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
メーカーの標準リードタイム	4 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 1200 V 60A（Tc） 330W（Tc）スルーホール TO-247-3
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
シリーズ	-
梱包形態	バルク
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	60A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	55ミリオーム @ 40A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 10mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	142 nC @ 20 V
Vgs（最大）	+25V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2946 pF @ 1000 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	330W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
パッケージ/ケース	TO-247-3