SCT2H12NZゲートドライバ回路

RohmのSCT2H12NZは、産業機器の補助電源に必要な高降伏電圧を提供します。伝導損失は、従来のシリコンMOSFETよりも8倍低減され、より大きなエネルギー効率に貢献しています。

産業機器での補助電源向けに最適化

産業機器向けの補助電源で使用される1500VシリコンMOSFETと比べて、SCT2H12NZは、8倍小さなオン抵抗（1.15Ω）でより高い降伏電圧（1700V）を提供します。さらに、小型のTO-3PFMパッケージは、産業機器で必要とされる沿面距離（絶縁材料の表面に沿って測定される距離）を維持します。また、Rohmは、適切な沿面距離を提供する面実装タイプ（TO268-2L）をリリースしています。

Rohmの専用ICとの組み合わせ時に効率を向上�

SiC MOSFETドライブ向けに特に設計されたRohmのAC/DCコンバータ制御IC（BD7682FJ-LB）と組み合わせてこの最新のSiC MOSFETを使用することで、性能を最大化し、効率を最大6%向上することができます。同時に、熱発生を低減し、熱対策を最小限に抑えてより小型のコンポーネントの使用を可能にします。

3.75k絶縁

BM61M41RFVまたはBM61S40RFVを追加することにより、ユーザーは3750V_RMSの絶縁電圧、65nsのI/O遅延時間、60nsの最小入力パルス幅を備えたゲートドライバを使用できます。低電圧ロックアウト（UVLO）機能とミラークランプ機能を備えています。