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1200Vシリコンカーバイド（SiC）ダイオード、MOSFET、およびモジュール
ROHMは、多くのアプリケーションでの改善された電力節約のために次世代のSiCパワーデバイスやモジュールを発売
SiCは、低いオン抵抗および高温度下での優れた特性により、次世代の低損失エレメントの検索で、最も実行可能な候補として出現しています。ROHMはSiCパワーデバイスおよびモジュールを、ソーラー/風力電源および電気/ハイブリッド自動車用DC/ACコンバータでの高効率のインバータから産業装置および空調装置向けのパワーインバータまで、多数のアプリケーションでの改善された電力節約のために開発しています。
| 特長 | 応用 | |
|
|
1200 V Silicon Carbide SiC Diodes
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SCT2450KEC | SICFET N-CH 1200V 10A TO247 | 0 - 即時 | $690.43 | 詳細を表示 |
| | SCT2280KEC | SICFET N-CH 1200V 14A TO247 | 0 - 即時 | $872.88 | 詳細を表示 |
| | SCT2160KEC | SICFET N-CH 1200V 22A TO247 | 0 - 即時 | $1,372.56 | 詳細を表示 |
| | SCT2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - 即時 | $2,423.75 | 詳細を表示 |
| | SCH2080KEC | SICFET N-CH 1200V 40A TO247 | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |
|  | BSM120D12P2C005 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 2 - 即時 | $62,236.00 | 詳細を表示 |
| | BSM180D12P2C101 | MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE | 1 - 即時 | $74,657.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2015-07-06
日本