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LFPAK56DハーフブリッジMOSFET
NexperiaのLFPAK56DハーフブリッジMOSFETは、寄生インダクタンスを60%低減し、熱特性を改善
Nexperiaのハーフブリッジ（ハイサイド/ローサイド）MOSFETシリーズは、省スペースのLFPAK56Dパッケージスタイルで構成されています。これらのMOSFETは、3相モータ制御トポロジのデュアルMOSFETと比較して、PCBトラックが不要なため、基板での占有面積を30%削減し、製造時には自動光学検査（AOI）を可能にします。LFPAK56Dハーフブリッジは、車載用としての信頼性が実証されている既存の量産型LFPAK56Dのアセンブリ工程を利用しています。また、パッケージにはフレキシブルリードを採用し、総合的な信頼性を高めています。MOSFET間を内部銅クリップで接続することで、PCB設計を簡素化し、優れた電流処理能力を持つプラグアンドプレイスタイルのソリューションを実現しています。
特長
- 内部クリップ接続により、寄生インダクタンスを60%低減
- LFPAK56Dデュアルと比較してPCB上で30%の省スペース化を実現
- 最大60A以上の高性能ID
- 低熱抵抗
応用
- ハンドヘルド電動工具、ポータブル機器、およびスペースに制約のあるアプリケーション
- ブラシレスまたはブラシ付きDCモータドライブ
- DC/DCシステム
- LED照明
LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMN013-40VLDX | MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D | 5858 - 即時 | $361.00 | 詳細を表示 |
| | PSMN4R2-40VSHX | MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D | 2926 - 即時 | $469.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2021-07-30
日本