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高性能NチャンネルMOSFET
Nexperiaは、信頼性と性能を高める先進のTrenchMOS技術を提供
これらのNexperiaの高性能NチャンネルMOSFETは、様々なアプリケーションで効率的な電源管理ができるように設計されています。これらのMOSFETは、優れた性能と信頼性を実現するTrenchMOS技術を利用しています。これらのデバイスは、小型のLFPAK56DとLFPAK88パッケージで提供され、スペースに制約のある設計に最適となっています。高ピークドレイン電流、低RDS(on)、高い動作接合部温度などの特長を持つこれらのMOSFETは、同期整流、DC/DCコンバータ、モータ制御、電源管理システムなどの幅広いアプリケーションに適しています。PSMNシリーズには、ロジックおよび標準レベルのゲート駆動オプションがあり、様々な設計要件に柔軟に対応します。また、これらのMOSFETは+175℃まで認定されており、要求の厳しい環境でも堅牢な性能を発揮します。
特長
- NチャンネルMOSFET
- 最大ドレインソース電圧：100V
- 53mΩの低RDS(ON)（PSMN047-100NSE）
- 82mΩの低RDS(ON)（PSMN071-100NSE）
- 強化されたSOA
- 小型DFN2020パッケージ
- LFPAK33パッケージより60%小型
- 低い伝導損失
- 非常に低いIDSSリーク
- ハイパワーPoE機能（60W以上）
- フォールトトレランス負荷スイッチ
- 効率的な突入管理
- BFアプリケーションに好適
- 信頼性の高いリレー交換
- 堅牢な熱管理
応用
- PoEシステム
- IEEE802.3atおよび独自のPoEソリューション
- 突入管理
- 電子ヒューズアプリケーション
- バッテリ管理システム
- リレー部品の交換
- Wi-Fiホットスポット
- 5Gピコセル
- CCTVシステム
- ハイサイド負荷スイッチ
- 産業用オートメーション
- 通信機器
- データセンター
- ネットワークインフラ
- 民生用電子機器
Single FETs, MOSFETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | PSMN4R1-60YLX | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 314 - 即時 | $450.00 | 詳細を表示 |
|  | PSMNR70-40SSHJ | MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88 | 4711 - 即時 | $1,108.00 | 詳細を表示 |
| | PSMNR82-30YLEX | PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK | 1067 - 即時 | $737.00 | 詳細を表示 |
| | PSMNR90-50SLHAX | PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88 | 3317 - 即時 | $1,248.00 | 詳細を表示 |
|  | PSMNR90-80ASEJ | PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12 | 886 - 即時 | $1,985.00 | 詳細を表示 |
FET, MOSFET Arrays
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | PSMN4R2-40VSHX | MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D | 2926 - 即時 | $469.00 | 詳細を表示 |
| | PSMN013-40VLDX | MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D | 5858 - 即時 | $361.00 | 詳細を表示 |
| | PSMN012-60HLX | MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D | 0 - 即時 | $371.00 | 詳細を表示 |
更新日： 2025-04-08
刊行： 2025-01-21
日本