MSC400SMA330 3300V SiC(シリコンカーバイド)MOSFET

MicrochipのMSC400SMA330は高性能で、システム効率を最大化し、システムの重量とサイズを最小化

「MicrochipのMSC400SMA330 3300V SiC(シリコンカーバイド)MOSFET」の画像MSC400SMA330は、MicrochipのSiC MOSFETデバイスファミリの一員です。MicrochipのSiCソリューションは高性能に重点を置いており、システム効率を最大化し、システムの重量とサイズを最小化するうえで役立ちます。また、Microchipの実績あるSiCの信頼性は、最終機器の製品寿命にわたって性能が劣化しないことを保証します。

特長

  • 低容量と低ゲート電荷
  • 低い内部ゲート抵抗(ESR)による高速スイッチング速度
  • 高接合温度での安定動作、TJ(max)=150°C
  • 高速および高信頼性ボディダイオード
  • 優れたアバランシェ耐性
  • RoHS対応

MSC400SMA330 3300 V Silicon Carbide (SiC) MOSFET

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MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24MSC400SMA330B4MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-240 - 即時See Page for Pricing詳細を表示
刊行: 2024-01-19