1,200V IGBT7 TRENCHSTOP™ MOSFET

Infineon Technologiesの第7世代 1,200V TRENCHSTOP^™IGBTは、ディスクリートIGBTおよびダイオード技術の世界におけるベンチマークとなるものです。このユニークなディスクリート製品は、4種類のパッケージタイプで最大140Aの高電流定格ポートフォリオを提供し、伝導パラメータVCE（sat）は前世代と比較して50%低下し、スイッチング損失は最大84%低下しています。これらは本質的に、過酷な条件下でのアプリケーションにおいて容易なEMI設計と高い信頼性（HV-H3TRBおよび宇宙線耐性を含む）を提供します。こうした技術が、1,200VディスクリートIGBT市場向けに初めて提供されることになりました。アプリケーションに合わせて性能を最適化したH7、S7、T7シリーズなど、充実のラインアップをご覧ください。

S7シリーズ：1,200V TRENCHSTOP IGBT7 S7ポートフォリオは、短絡能力/堅牢性を必要とするすべての産業用アプリケーションのための優れた選択肢を提供します。ベンチマーク効率と短絡耐性に優れたディスクリートは、前世代よりも少なくとも10%低い飽和電圧を実現します。一部のデバイスは、非常にソフトな完全定格EC7（エミッタ制御）ダイオードと同梱されており、IGBTの飽和VCE（sat）の大幅な低減と低Q_rrを実現しています。このシリーズは、従来のIGBTデバイスのベンチマークを拡張する優れた制御性と短絡耐性を提供します。

H7シリーズ：1,200VのIGBT同梱ディスクリートデバイスは、TRENCHSTOP IGBT7 H7とエミッタ制御EC7ラピッドダイオード技術の組み合わせにより、個別のクラス最高伝導およびスイッチング電力損失性能と、厳しい条件に対する堅牢性、および40A～140AまでをTO-247パッケージでカバーするという独自の高電流定格ポートフォリオを提供します。その結果得られる性能は、最新の高速スイッチング産業用インバータシステムへの増大する要件を満たすうえで役立ちます。

既存のT7シリーズ：この650Vシリーズは、比類のない制御と性能を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術を使用して初めて設計された製品であり、フリーホイーリングダイオードによって大幅な損失の削減、効率の向上、電力密度の向上が実現します。単一のソリューションで5kHz未満～40kHzまでのスイッチング周波数の柔軟性を実現する設計になっています。前世代から一転、性能を向上させ、産業用モータ駆動および制御用に最適化されています。