EPC9201 GaNハーフブリッジ評価ボード
EPCの開発ボードは、低周囲温度と対流冷却でのベンチ評価用を意図
EPCの開発ボードは、11mm x 12mmの寸法で、2つのエンハンスメントモード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)を持ち、オンボードのTexas InstrumentsのLM5113 ゲートドライブを備えたハーフブリッジ構成に設定されています。 これらの開発ボードの目的は、レイアウトを最適化し、あらゆる既存のコンバータに容易に接続することができるすべての重要なコンポーネントを単一基板に含めることによって、評価プロセスを簡略化することです。
追加のヒートシンクや強制空冷は、これらのデバイスの電流定格を大幅に高めることができますが、150°Cの絶対最大チップ温度を超えないように注意する必要があります。
応用 | 利点 |
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