EPC2202/EPC2203 GaNチップスケールAEC-Q101認定FET

EPCのAEC-Q101認定FETは車載用アプリケーション向けに設計

EPCが提供するEPC2202/EPC2203 GaNチップスケールAEC-Q101認定FETの画像EPC製品のAEC-Q101認定取得は、eGaN®デバイスの向上した効率や速度、サイズの小型化、低コスト化といった利点を、車載用エレクトロニクス業界がフル活用できることを意味します。

EPC2202は、80V、16mΩ eGaN FETで、2.1mm x 1.6mmのチップスケールパッケージで75Aのパルス電流定格を備えています。EPC2203は、80V、73mΩ eGaN FETで、0.9mm x 0.9mmのチップスケールパッケージで18Aのパルス電流定格を備えています。

特長 応用
  • 高周波対応
    • 高いスイッチング周波数:より低いスイッチング損失、より低い駆動電力
    • 高い効率:低い導電とスイッチング損失、ゼロ逆回復損失
  • 小さなフットプリント:低インダクタンス、非常に小型、チップスケールパッケージ
  • LiDAR
  • 高輝度ヘッドライト
  • 48V~12V DC/DCコンバータ
  • 超高忠実度インフォテイメントシステム

EPC2202/EPC2203 GaN Chip-Scale AEC-Q101 Qualified FETs

画像メーカー品番商品概要Id、Vgs印加時のRds On(最大)Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)入手可能な数量価格詳細を表示
GANFET N-CH 80V 18A DIEEPC2202GANFET N-CH 80V 18A DIE17ミリオーム @ 11A、5V4 nC @ 5 V34955 - 即時$612.00詳細を表示
GANFET N-CH 80V 1.7A DIEEPC2203GANFET N-CH 80V 1.7A DIE80ミリオーム @ 1A、5V0.83 nC @ 5 V33361 - 即時$234.00詳細を表示
刊行: 2018-06-15