AHV85111セルフパワー1チャンネル絶縁型GaN FETドライバ

Allegroのドライバは、システム設計を簡素化し、EMIを低減する安定化バイポーラ出力ドライブを実装

Image of Allegro's AHV85111 Self-Powered Single-Channel Isolated GaN FET DriverAllegroのAHV85111絶縁型ゲートドライバは、複数のアプリケーションとトポロジでGaN FETを駆動するために最適化されています。絶縁された正/負二重出力バイアス電源がドライバに統合されているため、外部ゲート駆動補助バイアス電源やハイサイドブートストラップが不要になります。バイポーラ出力レールは、調整可能で安定化された正レールにより、dv/dt耐性を向上させ、システム設計を大幅に簡素化し、コモンモード(CM)静電容量の削減によりEMIを低減します。このデバイスはまた、スイッチング電源トポロジのどの位置でもフローティングスイッチを駆動することができます。

このドライバは、高速伝播遅延と高いピークソース/シンク機能を備えており、高周波設計でGaN FETを効率的に駆動します。バイアス電源と駆動用絶縁出力を備えた高いCMTIにより、このドライバは、ノイズ耐性のために絶縁、レベルシフト、グランド分離を必要とするアプリケーションに最適です。

このデバイスは、コンパクトな薄型面実装NHパッケージで提供されます。内蔵保護機能には、1次および2次バイアスレールでの低電圧誤動作防止(UVLO)、INピンおよびOUTPDピンの内部プルダウン、高速応答イネーブル入力、過温度シャットダウン、イネーブル後の最初のIN立ち上がりエッジとのOUTパルス同期(非同期ラントパルスの回避)などがあります。

特長
  • トランス絶縁バリア
  • パワースルー絶縁バイアス
  • ハイサイドブートストラップ不要
  • 外部2次側バイアス不要
  • AEC-Q100グレード2認定
  • 調整可能な正の安定化レールを備えたバイポーラドライブ出力
  • 1次側3.3VREFバイアス出力内蔵
  • 伝播遅延:50ns
  • 電源電圧:10.8V < VDRV < 13.2V
  • 高速応答のイネーブルピン
 
  • 1次VDRVと2次VSECのUVLO
  • 連続ON機能:INのリサイクルやブートストラップコンデンサの再充電が不要
  • CMTI:>100V/nsのdv/dt耐性
  • 沿面距離:8.4mm
  • 安全規制認定:
    • UL 1577に準拠した5kVRMS VISO
    • 過渡絶縁電圧:8kV pk VIOTM(最大)
    • 動作絶縁電圧:1kV pk(最大)
応用
  • AC/DCおよびDC/DCコンバータ:トーテムポールPFC、LLCハーフ/フルブリッジ、SRドライブ、マルチレベルコンバータ、位相シフトフルブリッジ
  • 自動車:EV充電器とOBC
  • 産業用:データセンター、輸送、ロボット、オーディオ、モータ
  • クリーンエネルギー:マイクロ、ストリング、ソーラーインバータ

AHV85111 Self-Powered Single-Channel Isolated GaN FET Drivers

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刊行: 2023-11-15