IRL40T209ATMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.4V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 269 nC @ 4.5 V
シリーズ StrongIRFET™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 16000 pF @ 20 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 500W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 40 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 300A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerSFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 IRL40T209
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.72ミリオーム @ 100A、10V