Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 895.4 JPY
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
DigiKey製品番号	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPT029N08N5ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPT029N08N5ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 52A（Ta）、169A（Tc） 168W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPT029N08N5ATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 108µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 87 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6500 pF @ 40 V
部品状況購入可能最終日あり	電力散逸（最大） 168W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 52A（Ta）、169A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerSFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 IPT029
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.9ミリオーム @ 150A、10V