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IPB044N15N5ATMA1 Nチャンネル 150V 174A(Tc) 300W(Tc) 面実装 PG-TO263-7
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1 775.00000 ¥775
10 700.60000 ¥7,006
25 668.08000 ¥16,702
100 554.02000 ¥55,402
250 521.42800 ¥130,357
500 488.83800 ¥244,419

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IPB044N15N5ATMA1TR-ND
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  • 単価: ¥439.95400

IPB044N15N5ATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB044N15N5ATMA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 IPB044N15N5ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
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メーカーの標準リードタイム 13週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 150V 174A(Tc) 300W(Tc) 面実装 PG-TO263-7

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ドキュメントとメディア
データシート IPB044N15N5
その他の関連資料 Part Number Guide
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 174A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.4ミリオーム @ 87A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4.6V @ 264µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 100nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 8000pF @ 75V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-8、D²Pak(7リード + タブ)、TO-263CA
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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