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IPB044N15N5ATMA1 Nチャンネル 150V 174A(Tc) 300W(Tc) 面実装 PG-TO263-7
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10 812.80000 ¥8,128
25 774.96000 ¥19,374
100 672.89000 ¥67,289
500 585.94400 ¥292,972

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IPB044N15N5ATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB044N15N5ATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IPB044N15N5ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
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商品概要の詳細

Nチャンネル 150V 174A(Tc) 300W(Tc) 面実装 PG-TO263-7

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IPB044N15N5
その他の関連資料 Part Number Guide
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPB044N15N5
EDA/CADモデル IPB044N15N5ATMA1 by Ultra Librarian
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 174A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4.4ミリオーム @ 87A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4.6V @ 264µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 100nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 8000pF @ 75V
FET機能 -
電力散逸(最大) 300W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-8、D²Pak(7リード + タブ)、TO-263CA
ベース品番 IPB044
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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