IPB009N03LGATMA1 Infineon Technologies | シングルFET、MOSFET

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 2.2V @ 250µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 227 nC @ 10 V
シリーズ OptiMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 25000 pF @ 15 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 250W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 30 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 180A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-7、D2PAK（6リード + タブ）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 IPB009
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 0.95ミリオーム @ 100A、10V