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EPC2016C Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ
価格と調達
 

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数量
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数量 単価 金額
1 277.00000 ¥277
10 250.60000 ¥2,506
25 223.76000 ¥5,594
100 201.38000 ¥20,138
250 179.00400 ¥44,751
500 156.62800 ¥78,314
1,000 129.77800 ¥129,778

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製品概要
Digi-Key品番 917-1080-1-ND
コピー   917-1080-1-ND
在庫数量 422,105
即日出荷可能
仕入先

コピー   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
メーカー品番

EPC2016C

コピー   EPC2016C
商品概要 GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
コピー   GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ

コピー   Nチャンネル 100V 18A(Ta)  面実装 ダイ
ドキュメントとメディア
データシート EPC2016C
アプリケーションノート Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs
製品トレーニングモジュール eGaN FET Reliability
ビデオファイル How eGaN transistor technology improves lidar performance
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9106: 250W x2 @ 4©, ±27V in, Class D
EPC9106: 150W x2 @ 8©, ±27V in, Class D
EPC9126: 75A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCNアセンブリ/原産地 Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
EPC2/EPC8 15/Jun/2018
HTMLデータシート EPC2016C
製品属性 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
梱包形態 ? カット テープ(CT) ?
部品状況 有効
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 11A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 420pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ ? 1
その他の製品名/品番 917-1080-1
梱包形態の種類 | この製品の梱包形態は、下記の種類があります。
  • テープ&リール(TR) ? : 917-1080-2-ND
  • 最小発注数量: 2,500
  • 在庫数量: 420,000 - 即時
  • 単価: ¥121.65240
  • Digi-Reel® ? : 917-1080-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 422,105 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®

21:12:13 2/15/2019