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EPC2016C Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
1 252.00000 ¥252
10 226.30000 ¥2,263
25 213.48000 ¥5,337
100 166.51000 ¥16,651
500 140.89600 ¥70,448
1,000 119.54800 ¥119,548

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 917-1080-2-ND
  • 最小発注数量: 2,500
  • 在庫数量: 162,500 - 即時
  • 単価: ¥117.84000
  • Digi-Reel®  : 917-1080-6-ND
  • 最小発注数量: 1
  • 在庫数量: 163,384 - 即時
  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1080-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2016C
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商品概要 GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 18A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2016C
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9126: 75A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
EDA/CADモデル EPC2016C by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 11A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 4.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 420pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1080-1