Name: IPB040N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 566.5 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IPB040N08NF2SATMA1
DigiKey製品番号	448-IPB040N08NF2SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPB040N08NF2SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPB040N08NF2SATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 107A（Tc） 3.8W（Ta）、150W（Tc）面実装 PG-TO263-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPB040N08NF2SATMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 85µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 81 nC @ 10 V
シリーズ StrongIRFET™ 2	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3800 pF @ 40 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、150W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 80 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 107A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	ベース品番 IPB040N
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 4ミリオーム @ 80A、10V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

単価（消費税抜き）:	¥515.00000
単価（消費税込み）:	¥566.50000

IPB040N08NF2SATMA1