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EPC

- EPCは、エンハンスメントモード窒化ガリウムベースの電力管理デバイスでのリーダーです。EPCは、DC-DCコンバータワイヤレス電力転送エンベロープトラッキング、RF送信、パワーインバータリモートセンシング技術(LiDAR)、およびD級オーディオアンプなどのアプリケーションでのパワーMOSFETの置き換えとして、最高のシリコンパワー MOSFETを何倍も超えるデバイス性能を備えたエンハンスメントモード窒化ガリウムオンシリコン(eGaN®)FETを最初に発売しました。

LiDAR向けGaN

EPCのLiDAR向けGaNの画像

EPCのAlex Lidow氏は、eGaN FETとICがLiDARレーザーの給電に優れている理由、および固体と回転LiDARユニットの両方が自律型車両、ロボット、およびドローンで役割を果たす理由について説明しています。詳細はこちら

GaN IC

EPCのeGaN集積回路ゲートドライバプラスFETの画像

eGaN技術で製造されたパワートランジスタは、1ナノ秒以下で切り替えることができます。EPCのAlex Lidow氏が説明したように、パワートランジスタと同じチップ上にeGaNゲートドライバを組み込むと、設計が簡素化され、パワーエレクトロニクスのコストが低減します。詳細はこちら

GaNで48V〜12V DC/DCが、より高効率、より小型でより低コストに

EPCのDC/DC変換の画像

EPC9130開発ボードは、100V EPC2045エンハンスメントモード(eGaN®)を特長とする、オンボードマイクロコントローラとゲートドライブを備えた500kHzスイッチング周波数、48V公称入力電圧、60A最大出力電流、5フェーズ中間バスコンバータ(IBC) 電界効果トランジスタです。詳細はこちら

ハイライト製品

EPCのEPC2112およびEPC2115 eGaN ICの画像

EPC2112/EPC2115eGaN®IC

EPCのEPC2112/EPC2115eGaN®ICは、ゲートドライバと高周波GaN FETを組み合わせて、効率の向上、小型化、および低コスト化を実現しています。詳細はこちら

EPCのEPC 9205 GaNパワーモジュールの画像

EPC9205 GaNパワーモジュール

EPCのEPC9205 GaNパワーモジュールは、窒化ガリウムパワー集積回路で得られる高性能のプラグアンドプレイ評価用に設計されています。詳細はこちら

最新の製品 すべてを閲覧 (44)

Image of EPC's EPC9126/EPC9126HC LiDAR Demo Boards

EPC9126/EPC9126HC LiDARデモボード

EPCのEPC9126/EPC9126HC開発ボードは、最小5ns(ピークの10%)の合計パルス幅を備えた高電流パルスでレーザーダイオードを駆動することを主に意図しています。

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Gen 5 GaN Family

100V Gen 5 Family

The latest generation of 100 V GaN devices increase the efficiency, shrink the size, and reduce system cost for 48 V power conversion.

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Image of EPC's EPC2100 Transistors and EPC9036 Dev Board

EPC2100トランジスタおよびEPC9036開発ボード

EPCのモノリシックハーフブリッジデバイスはスペースを節約し、効率を改善し、そしてシステムコストを低減します。

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Image of EPC's Gen 4 eGaN® FETs

ハイパワーeGaN® FET

eGaN FETの新しいファミリは抵抗を半分に削減し、高電流、高電力密度のアプリケーションを可能にします。

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Image of EPC's Automotive Grade EPC2206

Automotive Grade EPC2206 eGaN® FET

EPC’s successful AEC-Q101 qualification means automotive electronics can now take full advantage of the improved efficiency, speed, smaller size, and lower cost of eGaN devices.

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Image of EPC's EPC2106 Half Bridge

EPC2106ハーフブリッジ

EPCのEPC2106ハーフブリッジは、省スペースで高効率の電力変換を実現します。

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プロダクトトレーニングモジュール すべてを閲覧 (10)

917-1027-2-ND

eGaN® FET Reliability

Duration: 5 minutes

Significant performance and size advantages over silicon power MOSFETs allow for improved system efficiency, reduced system costs, and reduced design size.

eGaN-based Eighth Brick Converter

eGaN-based Eighth Brick Converter

Duration: 5 minutes

Review of the design specifications of a 500 W 1/8th brick converter

917-EPC2100ENG-ND

eGaN Integrated GaN Power

Duration: 5 minutes

eGaN technology offers higher power density through size reduction and speed reduction, and parasitic reduction.

eGaN FETS

Driving eGaN FETs with the LM5113

Duration: 15 minutes

The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

Featured Videos すべてを閲覧 (53)

EPC's Alex Lidow shows off their latest wide-bandgap solutions at APEC

In this video, EPC CEO Alex Lidow talks to Embedded Computing Design’s Alix Paultre at the APEC exhibition in Anaheim, California. The various design-ins shown underscore the advantages GaN-based devices can provide a power system.

Publish Date: 2019-04-22

PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019

In this episode of PSDtv Alex Lidow, Chief Executive Officer and Co-Founder of Efficient Power Conversion (EPC) is at APEC 2019 in Anaheim an Discusses why their GaN on Silicon devices make Silicon now dead.

Publish Date: 2019-04-22

APEC 2017 Applications for GaN

In this video, Alex Lidow, CEO, takes a “walk through our booth,” showing eGaN FETs and ICs in a wide range of applications including EPC’s latest generation FETs for DC-DC conversion.

Publish Date: 2019-01-14

300 W GaN-Based Wirelessly Powered Smart Desk at CES 2018

A world with no power cords where you have the ability to place whatever you need on a single surface to charge AND power is here today!

Publish Date: 2018-06-29

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