表示品目
/ 1,034
比較
メーカー品番
在庫数量
価格
シリーズ
パッケージ
製品ステータス
タイプ
構成
電流
電圧
電圧 - 絶縁
グレード
認定
取り付けタイプ
パッケージ/ケース
31-QFN
AOZ5517QI_2
25V/60A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,000
在庫あり
1 : ¥388.00000
カット テープ(CT)
3,000 : ¥174.91900
テープ&リール(TR)
-
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブMOSFET1相60 A----面実装31-PowerVFQFNモジュール
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
856
在庫あり
1 : ¥36,772.00000
トレイ
トレイ
アクティブIGBT3相インバータ1800 A1.7 kV5000Vrms---モジュール
52
在庫あり
1 : ¥108,845.00000
バルク
-
バルク
アクティブMOSFET3相10 A50 V---面実装18-SMDモジュール
FSB50550AS
FSB50550AS
MODULE SPM 500V 2A SPM5Q
onsemi
708
在庫あり
1 : ¥1,560.00000
カット テープ(CT)
450 : ¥982.79111
テープ&リール(TR)
テープ&リール(TR)
カット テープ(CT)
Digi-Reel®
アクティブMOSFET3相2 A500 V1500Vrms--面実装23-PowerSMDモジュール、ガルウィング
986
在庫あり
1 : ¥1,799.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相15 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
271
在庫あり
1 : ¥2,013.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相15 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
2,424
在庫あり
1 : ¥2,929.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相30 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
269
在庫あり
1 : ¥7,020.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ20 A1.2 kV2500Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.094インチ、27.80mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
256
在庫あり
1 : ¥22,673.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ35 A1.2 kV2500Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.094インチ、27.80mm)
186
在庫あり
1 : ¥30,220.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブIGBTハーフブリッジ450 A750 V2500Vrms--シャーシマウントモジュール
NFA50460R4B
NFA50460R4B
IPM SPMS 600V 4A F256-MOD23
onsemi
223
在庫あり
1 : ¥1,147.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ4 A600 V1500Vrms--スルーホール23-PowerDIPモジュール(0.551インチ、14.00mm)
STGIPQ4C60T-HZ
STGIPQ4C60T-HZ
SLLIMM NANO 2ND SERIES IPM, 3-PH
STMicroelectronics
354
在庫あり
1 : ¥1,464.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ6 A600 V1500Vrms--スルーホール26-PowerDIPモジュール(0.846インチ、21.48mm)
26-DIP Module
STGIPN3H60
IGBT IPM MODULE 3A 600V NDIP-26L
STMicroelectronics
424
在庫あり
1 : ¥1,519.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相3 A600 V1000VDC--スルーホール26-PowerDIPモジュール(0.846インチ、21.48mm)
131
在庫あり
1 : ¥1,574.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相6 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
2,759
在庫あり
1 : ¥1,698.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相10 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
1,265
在庫あり
1 : ¥1,707.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相15 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
271
在庫あり
1 : ¥1,916.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相15 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
NFAQ1560R43TL-(primary)
NFAQ1560R43TL
INTELLIGENT POWER MODULE (IPM),
onsemi
309
在庫あり
1 : ¥1,984.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ15 A600 V2000Vrms--スルーホール38-PowerDIPモジュール(0.610インチ、24.00mm)、24リード
228
在庫あり
1 : ¥2,348.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相20 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
CIPOS Series
IKCM15L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
240
在庫あり
1 : ¥2,547.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相20 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
472
在庫あり
1 : ¥2,778.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相20 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
24-PowerDIP Module
IFCM15P60GDXKMA1
IFPS MODULE 650V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
268
在庫あり
1 : ¥3,011.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ30 A650 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
STGIB20M60TS-L
STGIB20M60TS-L
SLLIMM 2ND SERIES IPM, 3-PHASE I
STMicroelectronics
156
在庫あり
1 : ¥3,101.00000
チューブ
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ25 A600 V1500Vrms--スルーホール26-PowerDIPモジュール(1.146インチ、29.10mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
NFAQ1560R43T
MODULE IPM 600V 15A DIPS6
onsemi
397
在庫あり
1 : ¥3,185.00000
チューブ
-
チューブ
アクティブIGBT3相インバータ15 A600 V2000Vrms--スルーホール38-PowerDIPモジュール(0.610インチ、24.00mm)、24リード
248
在庫あり
1 : ¥3,277.00000
チューブ
チューブ
アクティブMOSFET3相インバータ20 A600 V2000Vrms--スルーホール24-PowerDIPモジュール(1.028インチ、26.10mm)
表示品目
/ 1,034

パワードライバモジュール


パワードライバモジュールは、通常はハーフブリッジや1相、2相、3相構成のIGBTおよびMOSFETである電力コンポーネントを物理的に内蔵しています。パワー半導体とパワーダイは、パワー半導体を搭載する基板上にはんだ付けまたは焼結され、必要に応じて電気的・熱的コンタクトや電気絶縁を提供します。これらよりもパワーモジュールの方が、電力密度が高いだけでなく、通常、信頼性も高く、冷却も簡単です。