
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
C3M0120065J | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 1697-C3M0120065J-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | C3M0120065J |
商品概要 | 650V 120M SIC MOSFET |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 21A(Tc) 86W(Tc) 面実装 TO-263-7 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | C3M0120065J モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | 生産中止品 | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 157ミリオーム @ 6.76A、15V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3.6V @ 1.86mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 26 nC @ 15 V | |
Vgs(最大) | +19V、-8V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 640 pF @ 400 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 86W(Tc) | |
動作温度 | -40°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
パッケージ/ケース |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1,516.00000 | ¥1,516 |
| 10 | ¥1,178.10000 | ¥11,781 |
| 50 | ¥1,043.02000 | ¥52,151 |
| 100 | ¥1,001.15000 | ¥100,115 |
| 250 | ¥956.96000 | ¥239,240 |
| 500 | ¥930.32800 | ¥465,164 |
| 1,000 | ¥908.40400 | ¥908,404 |
| 単価(消費税抜き): | ¥1,516.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥1,667.60000 |